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第376章 PMOS

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他,觉得这是今天听到的第一个好消息,也是最好的消息,高总工有才啊。

“高总工,你是说这个技术,只要这么几次光刻,几十步工序,就能完成双极型半导体要一百多步工序才能完成完成的事情?”

高振东笑道:“技术的发展其实本来就是这样的,先进不等于复杂,有的先进技术可以简单到我们难以想象。”

甚至看起来还超级土鳖,高振东心想。

对于高振东,他们两人还是很相信的,这位说的话,基本上还从来没有落空过。

“高总工,这太好了,我们需要做什么?”

高振东道:“我看现在厂里的情况,是有扩散炉的对吧?”

吕厂长点点头:“是的,这是我们基础生产设备之一,很多。”

“那最高的温控精度有多高?到得了正负1摄氏度不?”高振东问道,这个精度涉及到扩散掺杂效果。

这个鲁总工清楚:“这个到不了,有点差距,主要是传感器问题。”

现在他们用的K型热电偶,测温范围没有问题,但是精度就差不少了,2.5摄氏度或者千分之7.5,对于这个精度要求差了老远。

高振东想了想,没有推荐B型热电偶,B型的千分之2.5的误差也差点意思,而且反应速度慢。

“加一个铂电阻吧,间接测量,作为辅助传感器,配合K型热电偶,加上DJS-60D跑PID控制算法,应该是能控制得住的。”

铂电阻反应速度也慢,不过这个可以算法手段加以某种程度上的解决,铂电阻精度就远超需求了,最好的可以到千分之三摄氏度。

铂电阻最大的问题还是测温范围问题,半导体生产中需要用到1000摄氏度以上的范围,是超过铂电阻的测温范围的,不过间接测量设计得好的话,问题不大。

所以高振东拿出了铂电阻间接测量+K型热电偶直接测量的办法,一个测得准,一个测得快,双剑合璧,天下无敌。

他不知道日后的扩散炉是怎么解决这个问题的,反正在他这里,他就这么解决。

之所以这个扩散炉这么重要,主要是很多工序都靠这个。

氧化、淀积、扩散、扩散-氧化,这些都靠这玩意了。

扩散-氧化本来还有一种工艺的,但是高振东没有选,因为选择那种工艺会多出来一种叫做外延反应系统的设备,那就麻烦了。

所以高振东选择的还是能靠扩散炉完成“热氧化法


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